Per Anandtech la memoria interna UFS dei Galaxy S7 più veloce dei Galaxy S6, anche con la crittografia attiva

Una delle più importanti novità hardware introdotte da Samsung in questi ultimi due anni, che ha anche contribuito ad incrementare in maniera importante le prestazioni generali dei suoi top di gamma, è l’impiego di un nuovo tipo di memoria interna chiamata Universal Flash Storage (UFS).

ufs 256 tb

Rispetto alle più comuni memorie eMMC adottate da gran parte dei concorrenti, quelle UFS in alcuni ambiti di utilizzo sono in grado di assicurare addirittura una velocità superiore di 3 volte, richiedendo anche meno energia per il funzionamento.

prestazioni ufs vs emmc

Nei Galaxy S7 troviamo sempre lo stesso standard adottato da Samsung per i Galaxy S6, l’UFS 2.0, ma nonostante questo secondo i test dei tecnici dei laboratori di anandtech.com il chip presente negli ultimi top di gamma koreani è in grado di raggiungere prestazioni superiori, probabilmente perché si tratta di una revisione più recente.

– lettura dati sequenziale

test nand galaxy s7 1

– scrittura dati sequenziale

test nand galaxy s7 2

– lettura dati casuale

test nand galaxy s7 3

– scrittura dati casuale

test nand galaxy s7 4

Da notare che sui Galaxy S7 essendoci già in partenza Android Marshmallow la crittografia risulta già abilitata di base (proprio come richiesto da Google), ma nonostante questo le prestazioni in ogni test non vengono intaccate.