twitter androidgalaxys.net feed rss androidgalaxys.net youtube androidgalaxys.net email androidgalaxys.net

Feb 252015
 

All’inizio della scorsa settimana vi avevamo annunciato l’ufficializzazione dei nuovi Exynos 7, degli avanzati chipset ottenuti con processo produttivo a 14 nanometri e tecnologia FinFet che molto probabilmente vedremo all’interno dei prossimi Galaxy S6.

exynos7

Durante l’International Solid State Circuits Conference la società koreana ha mostrato anche un primo prototipo di chip ottenuto con processo produttivo a 10 nanometri, ma la rincorsa alla miniaturizzazione non si fermerà certamente qui.

Secondo infatti quanto dichiarato dal presidente della divisione semiconduttori (Kinam Kim) la Samsung è in grado di spingersi anche oltre, arrivando senza alcun problema addirittura ai 5 nanometri.

Al momento inoltre avrebbe già allo studio tecnologie che consentirebbero di passare ai 3,25 nm, ma riteniamo che sia davvero difficile vederle in commercio prima del 2020.

A quanto pare la Samsung vuolen confermarsi all’avanguardia anche nel campo semiconduttori, un settore dove attualmente occupa la seconda posizione dietro alla Intel.
samsung-leader-semiconduttori

 

fonte nikkeibp.co.jp via phonearena.com