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Lug 252013
 

 

Nella giornata di ieri la Samsung ha annunciato l’inizio della produzione di chip di memoria RAM da 3 GB.

I nuovo moduli saranno sempre di tipo LPDDR3 e basati sul processo produttivo da 20 nanometri.

Presenti inoltre dei miglioramenti sul package, che grazie all’altezza di soli 0.8 mm permetterà di ridurre ulteriormente lo spessore dei dispositivi mobile.

Secondo quanto dichiarato da un dirigente dalla casa koreana, le nuove memorie verranno utilizzati già sui prodotti di fascia alta commercializzati nella seconda metà dell’anno.

“Three gigabyte mobile DRAM will be adopted in the most up-to-date, high-end smartphones starting in the second half of this year − an initial adoption that will expand to most high-end smartphones worldwide next year,” said Young-Hyun Jun, executive vice president, memory sales & marketing, Samsung Electronics. “We will develop a new 3GB LPDDR3 solution based on four 6Gb LPDDR3 DRAM chips by symmetrically stacking two chips on each side, which will boost smartphone performance to the next level by year-end.”

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I primi rumor sui Galaxy dotati di ben 3 GB risalgono alla fine dello scorso anno, ma evidentemente per il Galaxy S4 si è poi preferito puntare ancora sui 2 GigaByte.

A questo punto sono molto alte le possibilità che il primo smartphone della Samsung con 3 GB di Ram possa essere proprio il futuro Note 3.