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Gen 242017
 

Sarà il 28 gennaio la data in cui conosceremo nel dettaglio le caratteristiche dell’Exynos 8895, il chipset che insieme allo Snapdragon 835 troveremo all’interno della nuova generazione dei Galaxy S8.

Ad annunciarlo è la divisione semiconduttori di Samsung attraverso il network cinese Weibo, senza però svelare ulteriori informazioni su quello che sarà il suo prodotto di punta per l’anno 2017.

Ad oggi l’unica caratteristica certa dell’Exynos 8895 è il processo produttivo a 10 nanometri FinFET (Samsung è stata la prima azienda al mondo ad utilizzarlo), in grado di offrire performance superiori del 20% ed un’efficienza energetica migliore del 35% rispetto alla precedente generazione dei chipset a 14nm.

Al suo interno dovrebbe poi essere presente la potente GPU Mali G71 e il supporto alle memorie di archiviazione UFS 2.1.

E anche quest’anno l’Exynos dovrebbe essere il chipset che troveremo nelle varianti europee del Galaxy S8 (SM-G950F/SM-G955F), mentre quelle destinate agli Stati Uniti e Cina dovrebbero invece avere lo Snapdragon 835, sviluppato da Qualcomm in stretta collaborazione con Samsung proprio come era successo con lo Snapdragon 820.

E stando ad alcune fonti di Forbes e The Verge, per garantire un numero adeguato di scorte ai Galaxy S8, sarà proprio la società koreana ad avere inizialmente l’esclusiva di questo chipset, tanto da costringere LG e HTC a ripiegare per i loro prossimi smartphone di punta sullo Snapdragon 821 di precedente generazione.

 

via theandroidsoul.comtheverge.com